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PSMN2R0-55YLHX实物图
  • PSMN2R0-55YLHX商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN2R0-55YLHX

N沟道,电流:200A,耐压:55V

品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN2R0-55YLHX
商品编号
C3288619
商品封装
LFPAK-56​
包装方式
编带
商品毛重
0.175359克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))2.1mΩ@10V
耗散功率(Pd)333W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)84nC@4.5V
输入电容(Ciss)11.353nF
反向传输电容(Crss)542pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)986pF

商品概述

该器件专为手机及其他超便携式应用中的电池充电开关设计,采用单封装解决方案。其特点是具备低导通电阻的MOSFET,以及独立连接的低正向电压肖特基二极管,可将传导损耗降至最低。 MicroFET 2x2 Thin封装在其物理尺寸下提供了出色的热性能,非常适合线性模式应用。

商品特性

  • 连续电流能力达200 A
  • 针对36 V(标称)电池供电应用进行优化
  • LFPAK56E低应力外露式引线框架,确保极致可靠性、最佳焊接效果和易于进行焊点检查
  • 采用铜夹和焊片连接,实现低封装电感和电阻,以及高ID(最大值)额定值
  • 可在175°C环境下工作
  • 具备雪崩额定值,100%经过测试
  • 低QG、QGD和QOSS,实现高效率,尤其在较高开关频率下
  • 超快开关速度,软体二极管恢复特性,可降低尖峰和振铃,推荐用于低EMI设计
  • 独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术,实现类肖特基开关性能和低IDSS漏电流
  • 窄VGS(阈值)额定值,便于并联使用并改善电流分配
  • 非常强的线性模式/安全工作区特性,可在高电流条件下实现安全可靠的开关操作

应用领域

  • 无刷直流电机控制
  • 高功率AC - DC应用中的同步整流器,如服务器电源
  • 电池保护和电池管理系统(BMS)
  • 负载开关
  • 10节锂离子电池应用(36 V - 42 V)

数据手册PDF