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BUK6Y24-40P,115
1个P沟道 耐压:40V 电流:39A
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- 描述
- P沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装，使用沟槽MOSFET技术。该产品已按照AEC-Q101标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用，如电池反接保护。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK6Y24-40P,115
- 商品编号
- C3288618
- 商品封装
- LFPAK56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 184pF |
商品概述
RF3L05150CB4是一款150 W、28/32 V的LDMOS场效应晶体管，专为频率范围从HF到1 GHz的宽带通信和ISM应用而设计。它可用于AB类、B类或C类放大器，适用于所有典型调制格式。
商品特性
-高散热功率能力-额定温度达175°C,适用于对散热有要求的环境-沟槽MOSFET技术-通过AEC-Q101认证
应用领域
-反接电池保护-电源管理-高端负载开关-电机驱动