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BUK6Y24-40P,115实物图
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BUK6Y24-40P,115

1个P沟道 耐压:40V 电流:39A

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描述
P沟道增强型MOSFET,采用LFPAK56(Power SO8)表面贴装器件(SMD)塑料封装,使用沟槽MOSFET技术。该产品已按照AEC-Q101标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用,如电池反接保护。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK6Y24-40P,115
商品编号
C3288618
商品封装
LFPAK56​
包装方式
编带
商品毛重
0.18克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)39A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)66W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)1.25nF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)184pF

数据手册PDF

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