温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FQU4P25TU

P沟道,电流:-3.1A,耐压:-250V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FQU4P25TU
商品编号: C3288561
商品封装: IPAK
包装方式: 管装
商品毛重: 0.677克(g)

商品参数

商品概述

RFD3N08L是一款n沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，专为在可编程控制器、汽车开关和螺线管驱动器等应用中与逻辑电平（5伏）驱动源配合使用而设计。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现，该设计可在3 - 5伏的栅极偏置下实现全额定导通，从而便于利用逻辑电路电源电压实现真正的开关功率控制。 RFD3N08L采用JEDEC TO - 251塑料封装，RFD3N08LSM采用JEDEC TO - 252塑料封装。

商品特性

3.1A,-250V,VGS = -10V时,RDS(on) = 2.1Ω
低栅极电荷(典型值10nC)
低Crss(典型值10.3pF)
快速开关
100%经过雪崩测试
改善的dv/dt能力

应用领域

可编程控制器-汽车开关-螺线管驱动器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	250V
	连续漏极电流(Id)	3.1A
	导通电阻(RDS(on))	2.1Ω@10V
	耗散功率(Pd)	2.5W
	阈值电压(Vgs(th))	5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	14nC@10V
	输入电容(Ciss)	420pF
	反向传输电容(Crss)	13pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	85pF