IRLU2905ZPBF
N沟道,电流:42A,耐压:55V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLU2905ZPBF
- 商品编号
- C3288562
- 商品封装
- IPAK(TO-251)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 840pF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET采用最新的工艺技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为一款极其高效可靠的器件,适用于各种应用。
商品特性
- 逻辑电平
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅
应用领域
- 高效开关模式电源-功率因数校正-基于半桥的电子灯镇流器
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