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NVMYS1D6N04CLTWG
1个N沟道 耐压:40V 电流:185A
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- 描述
- 特性：低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 LFPAK4封装，行业标准。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMYS1D6N04CLTWG
- 商品编号
- C3288610
- 商品封装
- LFPAK-4(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 185A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 107.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.301nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 超结技术
- 高性能，低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷Qg乘积（品质因数FOM）
- 高耐用性
- 100%进行非钳位感性开关（UIS）和栅极电阻（Rg）测试
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准，以及指令2002/96/EC的WEEE标准
- 根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品
应用领域
- 电源
- 交直流LED照明
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