FQU10N20LTU
N沟道,电流:7.6A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQU10N20LTU
- 商品编号
- C3288560
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 51W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 高速开关
- 低驱动电流
- 低导通电阻
- RDS(导通) = 3.9 mΩ（典型值，VGS = 10 V 时）
- 无铅
- 无卤
- 高密度贴装
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