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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDI025N06

N沟道,电流:265A,耐压:60V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDI025N06
商品编号
C3288504
商品封装
I2PAK(TO-262)​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)265A
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)395W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)226nC@10V
输入电容(Ciss)14.885nF
反向传输电容(Crss)1.125nF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.14nF

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、功率因数校正以及基于半桥的电子灯镇流器。

商品特性

  • 在VGS = 10 V、ID = 75 A时,RDS(on) = 1.9 mΩ(典型值)
  • 开关速度快
  • 栅极电荷低
  • 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
  • 具有高功率和大电流处理能力
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-直流转换器/同步整流

数据手册PDF