FDU6680A
30V N沟道MOSFET,电流:56A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDU6680A
- 商品编号
- C3288524
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.425nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关型DC/DC转换器。
商品特性
- 56 A,30 V,RDS(ON) = 9.5 m Ω(VGS = 10 V 时)
- RDS(ON) = 13 m Ω(VGS = 4.5 V 时)
- 低栅极电荷
- 快速开关
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
应用领域
-DC/DC转换器-电机驱动