STD10PF06-1
P沟道,电流:10A,耐压:60V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD10PF06-1
- 商品编号
- C3288538
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 典型RDS(导通) = 0.18 Ω
- 卓越的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
- 通孔IPAK (TO - 251)功率封装,采用管装(后缀“-1”)
- 表面贴装DPAK (TO - 252)功率封装,采用卷带封装(后缀“T4”)
应用领域
-电机控制-DC-DC和DC-AC转换器