RFD3N08L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术，实现了极低的单位硅面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。
商品特性
- 逻辑电平
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅