RFD3N08L
N沟道,电流:3A,耐压:80V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFD3N08L
- 商品编号
- C3288556
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术，实现了极低的单位硅面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。
商品特性
- 3A,80V
- 导通电阻RDS(on) = 0.80Ω
- 针对5伏栅极驱动进行优化设计
- 可直接由Q - MOS、N - MOS或TTL电路驱动
- 安全工作区受功率耗散限制
- 额定结温为175°C
- 逻辑电平栅极
- 高输入阻抗
应用领域
-可编程控制器-汽车开关-螺线管驱动器