RF3L05150CB4
150W, 28/32V, HF至1GHz射频功率LDMOS晶体管
- 描述
- 150 W、28/32 V、HF 至 1 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- RF3L05150CB4
- 商品编号
- C3288599
- 商品封装
- LBB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 90V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 70pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
一款350 W的超耐用LDMOS功率晶体管，适用于高频至600 MHz频段的广播和工业应用。
商品特性
- 高效率和线性增益操作
- 集成ESD保护
- 宽的正、负栅源电压范围,改善C类放大器工作性能
- 符合欧洲指令2002/95/EC
应用领域
- 2 - 30 MHz高频或短波通信
- 30 - 88 MHz地面通信
- 118 - 140 MHz电子设备
- 136 - 174 MHz商用地面通信
- 30 - 512 MHz干扰器、地面/空中通信
- 高频至1000 MHz ISM - 仪器仪表