- 引脚图
- 焊盘图
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RJK0454DPB-00#J5
N通道,电流:40A,耐压:40V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK0454DPB-00#J5
- 商品编号
- C3288603
- 商品封装
- SC-100(SOT-669)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.214906克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
Power MOS V® 是新一代高压 N 沟道增强型功率 MOSFET。这项新技术可将 JFET 效应降至最低，提高封装密度并降低导通电阻。Power MOS V® 还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。
商品特性
- 高速开关
- 低驱动电流
- 低导通电阻
- RDS(导通) = 3.9 mΩ(典型值,VGS = 10 V 时)
- 无铅
- 无卤
- 高密度贴装
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