RJK0853DPB-00#J5
80V, 40A, 8.0mΩ max. N通道功率MOSFET
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK0853DPB-00#J5
- 商品编号
- C3288605
- 商品封装
- SC-100(SOT-669)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.214906克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.17nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 100%进行UIS和Rg测试
- 先进的平面工艺
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,且符合WEEE指令2002/96/EC
- 根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品
应用领域
- 交流/直流LED照明
- 电源
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