SFU9130TU
P沟道,电流:-9.8A,耐压:-100V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SFU9130TU
- 商品编号
- C3288520
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.035nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、功率因数校正和基于半桥的电子镇流器。
商品特性
- 雪崩坚固技术
- 坚固栅氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改进的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流:10 μA(最大值)@ VDS = -100 V
- 更低的RDS(ON):0.225 Ω(典型值)
应用领域
- 高效开关电源-功率因数校正-基于半桥的电子镇流器