NTD4965N-1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:68A 电流:13A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD4965N-1G
- 商品编号
- C3288519
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 664pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化栅极电荷，以最小化开关损耗
- 三种封装形式，提供设计灵活性
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- CPU电源供应-DC-DC转换器