IRFI840BTU
N沟道,电流:8.0A,耐压:500V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRFI840BTU
- 商品编号
- C3288478
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 134W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。该先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，且便于设计实现。 TOLL封装采用开尔文源极配置和较低的寄生源极电感，具有更好的热性能和出色的开关性能。TOLL封装的湿度敏感度等级为1级（MSL 1）。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 57 mΩ
- 超低栅极电荷（典型QG = 82 nC）
- 低有效输出电容（典型COSS(eff.) = 724 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 开尔文源极配置和低寄生源极电感
- 通过MSL1认证
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- 不间断电源（UPS）/太阳能