SSI4N60BTU
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SSI4N60BTU
- 商品编号
- C3288482
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
- 无线基础设施的射频功率解决方案
- 自 2019 年 5G NR（新空口）问世以来，对射频功率元件提出了严苛的要求，开启了一个新时代。安谱隆（Ampleon）直面这些挑战，提供不受技术限制的解决方案，利用先进的 LDMOS、GaN 等半导体技术，打造市场领先的射频功率产品。
- 安谱隆处于前沿地位，为支持高达 128 条同时收发流的 mMIMO（大规模多输入多输出）、高效小基站和高功率宏基站提供市场领先的射频功率解决方案。
- 向低功耗系统转变以及环保意识的增强，促使基站对射频功率器件的效率提出了前所未有的要求。同时，对更高功率和更宽带宽产品解决方案的需求趋势，激励着安谱隆富有才华的工程师们设计新颖的架构和设计方法，为更紧凑、更隐蔽的基站铺平道路。
- 提供驱动级和末级无缝集成的全面解决方案，满足 4G、5G 及未来移动需求
- 将顶级可靠的 GaN 和 LDMOS 技术与经济高效、出色的热封装以及先进的设计方法相结合。
- 安谱隆强大的 mMIMO 产品组合，利用 LDMOS 和 GaN 分立及集成 Doherty 解决方案，在紧凑的外形尺寸下实现始终如一的高性能。这有助于 4G 和 5G mMIMO 功率放大器（PA）实现成本效益和简易性。
- 在砷化镓主导的小基站市场中实现 LDMOS 技术突破
商品特性
- 4.0A、600V,VGS = 10V时,RDS(on) = 2.5Ω
- 低栅极电荷(典型值22nC)
- 低Crss(典型值14pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- mMIMO（大规模多输入多输出）
- 小基站
- 宏基站
- 4G、5G 及未来移动网络
- 4G 和 5G mMIMO 功率放大器（PA）