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IRLR2703PBF

N沟道,电流:23A,耐压:30V

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRLR2703PBF
商品编号: C3288395
商品封装: DPAK
包装方式: 编带
商品毛重: 0.437克(g)

商品参数

商品概述

国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。

商品特性

~~- 逻辑电平栅极驱动-超低导通电阻-表面贴装(IRLR2703)-直引脚(IRLU2703)-先进的工艺技术-快速开关-全雪崩额定-无铅

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	23A
	导通电阻(RDS(on))	65mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	45W
	阈值电压(Vgs(th))	1V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	15nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	450pF
	反向传输电容(Crss)	110pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	210pF