TAV-581+
低噪声,中等电流,E-PHEMT晶体管
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- 品牌名称
- Mini-Circuits
- 商品型号
- TAV-581+
- 商品编号
- C3288430
- 商品封装
- FG-873
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 550mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 380mV | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
TAV-581+是一款超低噪声、高IP3晶体管器件,采用E-PHEMT*技术制造,可在单正电源电压下工作。它具有出色的噪声系数,特别是在2.5 GHz以下,并且在单个器件中将这种噪声系数与高IP3性能相结合,使其成为对性能要求苛刻的基站应用的理想放大器。
商品特性
- 低噪声系数,0.5 dB
- 增益,在2 GHz时为17 dB
- 高输出IP3,+31 dBm
- 1 dB压缩点输出功率,+19 dBm
- 低电流,30 mA
- 宽带宽
- 需要外部偏置和匹配
- 符合RoHS标准
应用领域
- 蜂窝通信
- 工业、科学和医疗(ISM)频段
- 全球移动通信系统(GSM)
- 宽带码分多址(WCDMA)
- 全球微波互联接入(WiMax)
- 无线局域网(WLAN)
- 非授权国家信息基础设施(UNII)频段
- 高速无线局域网(HIPERLAN)