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RQ3E160ADTB
1个N沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小尺寸表面贴装封装。 无铅镀铅，符合RoHS标准。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ3E160ADTB
- 商品编号
- C3288441
- 商品封装
- HSMT-8(3.2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的工艺技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 D-PAK专为采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
商品特性
- 表面贴装（IRLR120N）
- 直引脚（IRLU120N）
- 先进的工艺技术
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 无铅