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STI18N65M2
N沟道,电流:12A,耐压:650V
- 描述
- N沟道650 V、0.275 Ohm典型值、12 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STI18N65M2
- 商品编号
- C3288462
- 商品封装
- I2PAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(50个/管，最小起订量 241 个)个
起订量：241 个50个/管
总价金额：
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