RF1S50N06
50A, 60V, 0.022Ω N沟道 Power MoSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RF1S50N06
- 商品编号
- C3288471
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 131W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路(LSI),能实现硅的最优利用,从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 50A,60V
- 导通电阻rDS(ON) = 0.022Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性开关(UIS)额定曲线
- 工作温度175°C
应用领域
- 蜂窝通信
- 工业、科学和医疗（ISM）频段
- 全球移动通信系统（GSM）
- 宽带码分多址（WCDMA）
- 全球微波互联接入（WiMax）
- 无线局域网（WLAN）
- 非授权国家信息基础设施（UNII）频段
- 高速无线局域网（HIPERLAN）