HUF75344S3
1个N沟道 耐压:55V 电流:75A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HUF75344S3
- 商品编号
- C3288473
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 155W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用了独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新改进技术，减少了关键对准步骤，从而具有出色的制造重复性。其结果是该晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性和低栅极电荷。
商品特性
- 带宽:20Hz - 22kHz
- 效率:>90%
- 总谐波失真:<0.05%
- 信噪比:>95dB
- 符合FCC Class-B/CE标准
应用领域
- 多媒体
- 汽车
- 家庭影院