STI33N60M6
N沟道,电流:25A,耐压:600V
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- 描述
- 采用 I2PAK 封装的 N 沟道 600 V、105 mOhm（典型值）、25 A MDmesh M6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STI33N60M6
- 商品编号
- C3288465
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.515nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，且关键对准步骤较少，使得制造过程具有出色的可重复性。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 具备齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器