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UT6JC5TCR
2个P沟道 耐压:60V 电流:2.5A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 小尺寸表面贴装封装。 无铅镀层，符合RoHS标准。 无卤。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- UT6JC5TCR
- 商品编号
- C3288451
- 商品封装
- HUML2020-L8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.083077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V；250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA；2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V；3.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 265pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品概述
这款HEXFET®功率MOSFET的蜂窝式设计专为汽车应用而打造，采用最新的加工技术，实现了单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，适用于汽车及其他多种应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 逻辑电平栅极驱动
- 低导通电阻
- 动态dV/dT额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定值
- 允许在Tjmax以下进行重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准
- 通过汽车级认证*
应用领域
- 汽车