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STI55NF03L
1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 描述
- 这款功率 MOSFET 是基于独特“单一特征尺寸”条形工艺的最新成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，具备卓越的制造可重复性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STI55NF03L
- 商品编号
- C3288461
- 商品封装
- I2PAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.265nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
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