RJK03E3DNS-00#J5
N通道,电流:14A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK03E3DNS-00#J5
- 商品编号
- C3288459
- 商品封装
- HWSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NP75N055YUK是专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 高速开关
- 可实现4.5 V栅极驱动
- 低驱动电流
- 高密度贴装
- 低导通电阻
- 典型导通电阻RDS(on) = 9.0 mΩ(VGS = 10 V时)
- 无铅
- 无卤
应用领域
- 汽车领域
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