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RF4E110GNTR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RF4E110GNTR

1个N沟道 耐压:30V 电流:11A

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描述
特性:低导通电阻。 高功率小尺寸封装(HUML2020L8)。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 无卤素。 100%进行Rg和UIS测试。应用:开关
品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
RF4E110GNTR
商品编号
C3288448
商品封装
HUML2020-L8​
包装方式
编带
商品毛重
0.043克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))8.7mΩ@10V;11.7mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)7.4nC@10V
输入电容(Ciss)504pF
反向传输电容(Crss)41pF
工作温度-
输出电容(Coss)152pF

商品特性

  • 低导通电阻
  • 小型表面贴装封装
  • 无铅镀层;符合 RoHS 标准
  • 无卤素

应用领域

  • 开关应用

数据手册PDF