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NP35N04YLG-E1-AY

N沟道,电流:35A,耐压:40V

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: NP35N04YLG-E1-AY
商品编号: C3288443
商品封装: HSON-8
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh快速恢复二极管相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并且单位面积的导通电阻（RDS(on)）有显著改善，同时具备市场上针对高要求的高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的最有效的开关特性之一。

商品特性

低导通电阻
最大RDS(on) = 9.7 mΩ(VGS = 10 V,ID = 17.5 A)
最大RDS(on) = 15 mΩ(VGS = 5 V,ID = 17.5 A)
逻辑电平驱动类型
内置栅源ESD保护二极管
专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准

应用领域

开关应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	35A
	导通电阻(RDS(on))	15mΩ@5V
	耗散功率(Pd)	77W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	51nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.85nF
	反向传输电容(Crss)	220pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	290pF