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RQ3L070ATTB
1个P沟道 耐压:60V 电流:25A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 高功率小尺寸封装 (HSMT8)。 无铅电镀；符合 RoHS 标准。 无卤。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ3L070ATTB
- 商品编号
- C3288442
- 商品封装
- HSMT-8(3.2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的工艺技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种领域。 D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率小尺寸封装 (HSMT8)
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 无卤素
应用领域
- 开关应用