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RQ3L070ATTB实物图
  • RQ3L070ATTB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RQ3L070ATTB

1个P沟道 耐压:60V 电流:25A

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描述
特性:低导通电阻。 高功率小尺寸封装 (HSMT8)。 无铅电镀;符合 RoHS 标准。 无卤。应用:开关
品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
RQ3L070ATTB
商品编号
C3288442
商品封装
HSMT-8(3.2x3)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V,7A
属性参数值
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)48nC@10V
输入电容(Ciss)2.85nF@30V
工作温度-

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