NTBL070N65S3
N沟道,电流:44A,耐压:650V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBL070N65S3
- 商品编号
- C3288437
- 商品封装
- HPSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.995909克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFAST III快速MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率。TOLL封装采用开尔文源极配置，降低了寄生源极电感，具有更好的热性能和出色的开关性能。TOLL封装的湿度敏感度等级为1级（MSL 1）。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 57 mΩ
- 超低栅极电荷(典型QG = 82 nC)
- 低有效输出电容(典型COSS(eff.) = 724 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 开尔文源极配置和低寄生源极电感
- 通过MSL1认证
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- 不间断电源(UPS)/太阳能