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RQ3E150GNTB
1个N沟道 耐压:30V 电流:39A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 高功率封装 (HSMT8)。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 无卤。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ3E150GNTB
- 商品编号
- C3288440
- 商品封装
- HSMT-8(3.2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |