SCTH70N120G2V-7
SCTH70N120G2V-7
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描述
碳化硅功率 MOSFET 1200 V、21 mOhm（典型值）、90 A，采用 H2PAK-7 封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
SCTH70N120G2V-7商品编号
C3288434商品封装
H2PAK-7包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| Vds-漏源击穿电压 | 1200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| Id-漏极电流(25℃) | 90A | |
| Pd-功耗 | 469W |
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