IRLR8103VPBF-IR
1个N沟道 耐压:30V 电流:91A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLR8103VPBF-IR
- 商品编号
- C3288415
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 91A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.672nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.064nF |
商品概述
这款新器件采用先进的HEXFET功率MOSFET技术,实现了导通电阻和栅极电荷前所未有的平衡。降低的导通和开关损耗使其成为为新一代微处理器供电的高效DC-DC转换器的理想选择。 IRLR8103V针对同步降压转换器中所有关键参数进行了优化,包括RDS(on)、栅极电荷和Cdv/dt引起的导通抗扰度。IRLR8103V在Qsw和RDS(on)方面的组合极低,可降低控制和同步FET应用中的损耗。 该封装设计适用于气相、红外、对流或波峰焊工艺。在典型的PCB安装应用中,功率耗散可能超过2W。
商品特性
- 适用于CPU核心DC-DC转换器
- 低导通损耗
- 低开关损耗
- 可减少大电流应用中并联MOSFET的数量
- 100%进行RG测试
- 无铅
应用领域
-CPU核心DC-DC转换器
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