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IRLR8103VPBF-IR实物图
  • IRLR8103VPBF-IR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLR8103VPBF-IR

1个N沟道 耐压:30V 电流:91A

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商品型号
IRLR8103VPBF-IR
商品编号
C3288415
商品封装
DPAK(TO-252AA)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)91A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
耗散功率(Pd)115W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)27nC@5V
输入电容(Ciss)2.672nF
反向传输电容(Crss)109pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.064nF

商品概述

这款新器件采用先进的HEXFET功率MOSFET技术,实现了导通电阻和栅极电荷前所未有的平衡。降低的导通和开关损耗使其成为为新一代微处理器供电的高效DC-DC转换器的理想选择。 IRLR8103V针对同步降压转换器中所有关键参数进行了优化,包括RDS(on)、栅极电荷和Cdv/dt引起的导通抗扰度。IRLR8103V在Qsw和RDS(on)方面的组合极低,可降低控制和同步FET应用中的损耗。 该封装设计适用于气相、红外、对流或波峰焊工艺。在典型的PCB安装应用中,功率耗散可能超过2W。

商品特性

  • 适用于CPU核心DC-DC转换器
  • 低导通损耗
  • 低开关损耗
  • 可减少大电流应用中并联MOSFET的数量
  • 100%进行RG测试
  • 无铅

应用领域

-CPU核心DC-DC转换器

数据手册PDF