NVD6416ANLT4G-001-VF01
N沟道,电流:19A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD6416ANLT4G-001-VF01
- 商品编号
- C3288421
- 商品封装
- DPAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款专为汽车应用设计的HEXFET功率MOSFET蜂窝式设计，采用了最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他各种应用。
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on))
- 高电流承载能力
- 100%雪崩测试
- 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用,采用NVD前缀;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准