CSD13302WT
1个N沟道 耐压:12V 电流:1.6A
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- 描述
- CSD13302W 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD13302WT
- 商品编号
- C3288422
- 商品封装
- DSBGA-4(1x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.1mΩ@4.5V,1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 862pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
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