- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD13302WT
1个N沟道 耐压:12V 电流:1.6A
- 描述
- CSD13302W 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD13302WT
- 商品编号
- C3288422
- 商品封装
- DSBGA-4(1x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.1mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 862pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CSD13302W是12V N通道NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款14.6 mΩ、12 V N通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的1 mm × 1 mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
商品特性
- 超低导通电阻
- 低Qg和Qgd
- 1mm x 1mm 小尺寸封装
- 低高度（高度为0.62 mm）
- 无铅
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护