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STD15N60DM6
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 描述
- 采用 DPAK 封装的 N 沟道 600 V、286 mOhm（典型值）、12 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD15N60DM6
- 商品编号
- C3288411
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 338mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证能在雪崩击穿工作模式下承受特定水平的能量。它们是P沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的高功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,每单位面积的RDS(ON)更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 经过 100% 雪崩测试
- 具有极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用