STD15N60DM6
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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描述
采用 DPAK 封装的 N 沟道 600 V、286 mOhm（典型值）、12 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STD15N60DM6商品编号
C3288411商品封装
DPAK(TO-252)包装方式
编带
商品毛重
2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 338mΩ@6A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.75V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 607pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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