IRLR2908PBF
N沟道,电流:30A,耐压:80V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLR2908PBF
- 商品编号
- C3288397
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET采用最新的工艺技术,以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该HEXFET功率MOSFET的其他特性包括175°C的结工作温度、低RθJC、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为一款极其高效且可靠的器件,适用于各种应用场景。 D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平最高可达1.5瓦。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅
应用领域
- CPU核心DC - DC转换器