IRLR2908PBF
N沟道,电流:30A,耐压:80V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLR2908PBF
- 商品编号
- C3288397
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRF6810STRPbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具备MICRO - 8封装尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了性能提升。若遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺，DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何形状、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，将此前的最佳热阻降低80%。 IRF6810STRPbF具有低栅极电阻、低电荷以及超低封装电感，可显著降低开关损耗。较低的损耗使该产品非常适合为新一代高频运行的处理器供电的高效DC - DC转换器。IRF6810STRPbF针对12伏总线转换器的同步降压控制FET插座进行了优化。
商品特性
- 超薄封装（<0.7 mm）
- 支持双面散热
- 超低封装电感
- 针对高频开关进行优化
- 针对控制FET应用进行优化
- 与现有的表面贴装技术兼容
- 100%进行Rg测试
- 封装尺寸与DirectFET兼容
应用领域
- CPU核心DC - DC转换器