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IPD60R210CFD7ATMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 描述
- CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有一流的反向恢复电荷，并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实施。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总的来说，CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便和更凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R210CFD7ATMA1
- 商品编号
- C3288408
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 64W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@240uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品特性
- 雪崩耐用技术
- 耐用栅极氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 175°C工作温度
- 更低的漏电流：10 μA（最大值）@ VDS = -60 V
- 低RDS(ON)：0.362 Ω（典型值）
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