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IPD60R210CFD7ATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD60R210CFD7ATMA1

1个N沟道 耐压:600V 电流:12A

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描述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷,具有一流的反向恢复电荷,并改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,该新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合,同时在设计过程中易于实施。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。总的来说,CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便和更凉爽。
商品型号
IPD60R210CFD7ATMA1
商品编号
C3288408
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
编带
商品毛重
0.49克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))210mΩ@10V
耗散功率(Pd)64W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)1.015nF
反向传输电容(Crss)33pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)18pF

商品特性

-超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)

应用领域

  • 适用于软开关拓扑
  • 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化——服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF