NTD30N02T4G
N沟道,电流:30A,耐压:24V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD30N02T4G
- 商品编号
- C3288366
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥式电路中的低电压、高速开关应用而设计。
商品特性
-提供无铅封装
应用领域
-电源-转换器-动力电机控制-桥式电路