IRFD1Z3
N沟道增强模式MOSFET,电流:0.4A,耐压:60V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFD1Z3
- 商品编号
- C3288356
- 商品封装
- DIP-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 潮湿敏感度等级 1 级
- 无卤素，“绿色”器件
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无铅涂层/符合 RoHS 标准（后缀“P”表示符合 RoHS 标准）