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NVMTS1D1N04CTXG
1个N沟道 耐压:40V 电流:277A
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- 描述
- 特性：小尺寸（8×8mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 新型Power 88封装。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMTS1D1N04CTXG
- 商品编号
- C3288329
- 商品封装
- DFNW-8(8.3x8.4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 277A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 76.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.145nF |
商品特性
- 小尺寸(8x8 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- 新型 Power 88 封装
- 通过 AEC-Q101 认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
-适用于电信和工业领域的带同步整流的高频直流-直流隔离转换器-用于计算机处理器供电的高频降压转换器