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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A；50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W；52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品概述
- 沟槽功率AlphaSGTTM技术
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 逻辑电平栅极驱动
- 符合RoHS 2.0标准且无卤
商品特性
- 双散热顶部散热PQFN封装
- 在VGS = 10 V、ID = 10 A时，最大rDS(on) = 10 mΩ
- 采用高性能技术，实现极低的rDS(on)
- 经过100% UIL测试
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流-充电器-PD适配器