C4H2350N10Z

全新的MDmesh M6技术融合了对知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。它将出色的单位面积导通电阻（RDS(on)）改善与高效的开关性能相结合，为终端应用提供了用户友好的体验，以实现最高效率。

• 始终可靠的性能
• 高链路增益且变化极小
• 提升线性化效率
• 单个封装晶体管在不同频段实现前所未有的功率和效率
• 集成驱动级和经过 Doherty 优化的末级,实现简化、经济高效的链路解决方案,带来紧凑设计
• 通过安谱隆的 LDMOS 和 GaN 技术实现出色的数字预失真(DPD)线性化
• 紧凑尺寸,满足 mMIMO 系统的空间限制
• 高链路增益
• 性能始终如一
• 有可靠的大批量供应记录,确保稳定供货
• 高达 300 MHz 瞬时带宽
• 增强输出功率以扩大覆盖范围
• 高线性化效率
• 出色的 DPD 线性化能力
• 采用标准化封装尺寸的紧凑产品线,确保无缝部署和集成

• mMIMO(大规模多输入多输出)
• 小基站
• 宏基站
• 4G、5G 及未来移动网络
• 4G 和 5G mMIMO 功率放大器(PA)