- 引脚图
- 焊盘图
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AON6260
1个N沟道 耐压:60V 电流:41A 电流:85A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6260
- 商品编号
- C3288308
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A；41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.3W；104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.578nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.39nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AON6260采用沟槽MOSFET技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)、Ciss和Coss组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光等领域的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 出色的数字预失真能力
- 高效率
- 专为宽带运行设计
- 较低的输出电容，可提高多尔蒂应用中的性能
- 内部匹配，使用方便
应用领域
- 适用于2300 MHz至2690 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器