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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A；41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 7.3W；104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.578nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
适用于基站应用的50 W GaN封装多尔蒂功率晶体管，工作频率范围为2300 MHz至2690 MHz。
商品特性
- 出色的数字预失真能力
- 高效率
- 专为宽带运行设计
- 较低的输出电容，可提高多尔蒂应用中的性能
- 内部匹配，使用方便
应用领域
- 适用于2300 MHz至2690 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器