AON6162
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6162
- 商品编号
- C3288305
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 215W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.85nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET的设计旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 薄型封装，适用于轻薄应用
- 低热阻Rthj - a，散热高效的封装
- 占位面积6mm²，比TSOP6和SOT23 - 6小50%
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- “无铅”，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
应用领域
-用于服务器和电信的次级同步整流MOSFET