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MCAC100N08Y-TP
1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
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- 描述
- 特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS/CD的高密度单元设计。 湿度敏感度等级1。 无卤，“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅表面处理，符合RoHS标准
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCAC100N08Y-TP
- 商品编号
- C3288281
- 商品封装
- DFN5060
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.20326克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 152W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.492nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
飞兆半导体先进的2.5V指定PowerTrench工艺与先进的BGA封装相结合，使FDZ2554PZ最大限度地减少了PCB空间和漏源导通电阻（RDS(ON)）。这款单片共漏BGA MOSFET在封装技术上取得了突破，使该器件兼具出色的热传递特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低漏源导通电阻（RDS(ON)）。
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 湿度敏感度等级1级
- 无卤“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准)
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护