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MCAC50P03B-TP
P沟道,电流:50A,耐压:30V
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCAC50P03B-TP
- 商品编号
- C3288286
- 商品封装
- DFN5060
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.426nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 670pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 754pF |
商品概述
适用于基站应用的5 W GaN封装功率晶体管。
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高速开关
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤素,“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准,详见订购信息)
应用领域
- 用于2300 MHz至5000 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器