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MCG55P02A-TP
1个P沟道 耐压:20V 电流:55A
- 描述
- 特性：沟槽功率低压MOSFET技术。出色的散热封装。用于低导通电阻的高密度单元设计。湿度敏感度等级1。无卤“绿色”器件。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅表面处理/符合RoHS标准
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCG55P02A-TP
- 商品编号
- C3288259
- 商品封装
- DFN-8-EP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12734克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.231nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 527pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 583pF |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速恢复二极管相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并在单位面积导通电阻（RDS(on)）方面有显著改善，具备市场上针对高要求高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的最有效开关特性之一。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，单位面积导通电阻（RDS(on)）更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 极高的dv/dt鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用