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NVMFS016N10MCLT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:10.9A 电流:46A
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- 描述
- 特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤素/BFR、无铍，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS016N10MCLT1G
- 商品编号
- C3288267
- 商品封装
- DFN-5(5x6)(SO-8FL)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- 通过 AEC-Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- NVMFWS016N10MCL - 可焊侧翼产品
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)、无铍,符合 RoHS 标准
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